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Technologie des composants de puissance

Type de diplôme :
Attestation
Durée des études :
6 jours (40 heures)
Lieu(x) de formation :
Campus de Sénart
Accessible en :
  • Formation continue

UFR/Institut : UPEC - IUT Sénart / Fontainebleau (IUT de Seine et Marne Sud)

Objectifs

 Connaitre le principe de fonctionnement des composants de puissance.
 Choisir le composants en fonction de l'application.

Organisation de la formation

La pédagogie de cette formation alterne la théorie, les travaux dirigés et les travaux pratiques.

Programme :

src="[id-image]1138097972959[/id-image]" Notion de bases sur la physique du silicium

src="[id-image]1138097972959[/id-image]" Caractéristiques des composants de puissance :
- Diode à jonction PN et Shottky.
- Thyristor.
- Transistor MOS.
- Transistor IGBT

src="[id-image]1138097972959[/id-image]" Cellule de commutation et type de commutation

src="[id-image]1138097972959[/id-image]" Commande des composants de puissances

src="[id-image]1138097972959[/id-image]" Choix du dissipateur

Responsable(s)

Jean-Pierre Zagar, Département Génie Electrique

Secrétariat

Gina Domingues
Tél : 01 64 13 44 95
domingues@u-pec.fr

Plus d'informations

En complément de ce programme, vous pouvez suivre :
src="[id-image]1138097972959[/id-image]" Distribution électrique et sécurité électrique
src="[id-image]1138097972959[/id-image]" Phénomène thermique